#1 |
数量:2500 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:2500 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2500 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
BSO080P03NS3 G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 14.8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.9V @ 150µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 81nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 6750pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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